Kesan ketebalan filem terhadap fotoelektrokimia titania dioksida (TiO2) yang disediakan melalui kaedah pemendapan bantuan aerosol wap kimia (AACVD)
Titanium oksida (TiO2) merupakan semikonduktor yang mempunyai jurang jalur yang besar dengan ciri-ciri foto penukaran dalam spektra UV sesuai digunakan dalam pelbagai aplikasi. Dalam penyelidikan ini, kaedah pemendapan bantuan aerosol wap kimia (AACVD) digunakan bagi menghasilkan lapisan filem TiO...
| Main Authors: | , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia
2019
|
| Online Access: | http://journalarticle.ukm.my/14302/ http://journalarticle.ukm.my/14302/ http://journalarticle.ukm.my/14302/1/10.pdf |
| Summary: | Titanium oksida (TiO2) merupakan semikonduktor yang mempunyai jurang jalur yang besar dengan ciri-ciri foto penukaran
dalam spektra UV sesuai digunakan dalam pelbagai aplikasi. Dalam penyelidikan ini, kaedah pemendapan bantuan aerosol
wap kimia (AACVD) digunakan bagi menghasilkan lapisan filem TiO2 dengan ketebalan yang berbeza berdasarkan tempoh
pemendapan yang dikenakan (3, 5 dan 7 min). Lapisan filem dimendapkan pada suhu 450oC. Melalui kedah AACVD, lapisan
TiO2 yang dimendapkan di atas kaca FTO (florin dop tin oksida) akan menjadi lebih nipis dan struktur lapisan menjadi lebih
padat.Titanium diisopropoxide bis(acetylacetonate) dan etanol digunakan untuk menghasilkan pelopor AACVD. Ciri morfologi
dan ketebalan filem nipis TiO2 diuji menggunakan mikroskopi daya atom (AFM) yang menunjukkan permukaan berliang
pada filem nipis tersebut. Ciri optik filem nipis TiO2 diuji menggunakan spektra pancaran ultra-lembayung cahaya nampak
(UV-Vis) dan keputusan menunjukkan filem nipis memberikan ketelusan yang tinggi pada kawasan kelihatan berdasarkan
jurang jalur yang diperolehi. Prestasi filem nipis dicirikan menggunakan voltammetri sapuan linear (LSV) dan spektroskopi
impedans elektrokimia (EIS). TiO2-5 min memperoleh purata ketebalan 61 nm melihatkan prestasi J-V terbaik iaitu 6.30 x
10-4 A/cm-2 dan memberikan rintangan cas yang terendah. Tambahan, pemendapan filem menunjukkan kelekatan yang baik
pada substrat, kebolehkeluaran semula dan permukaan filem nipis yang sekata. Berdasarkan keputusan yang diperolehi, TiO2
yang disediakan menggunakan kaedah AACVD sangat sesuai digunakan dalam pelbagai aplikasi seperti sel suria generasi
ketiga yang memerlukan filem nipis dengan ketebalan yang rendah, berliang, ketelusan yang tinggi, fotoaktif, dan stabil. |
|---|