Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung

Transistor berasaskan karbon tiub nano (CNTFET) telah dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung menggunakan alkohol pemangkin pemendapan wap kimia. Sifat struktur dan ciri elektrik peranti telah dikaji. FET ini menunjukkan operasi ambipolar dan ia selaras dengan jenis-Schottky FET. Ia telah did...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors:	Mohd Ambri Mohamed, Farah Dzilhani Zulkefli, Burhanuddin Yeop Majlis
Format:	Article
Language:	English
Published:	Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2017
Online Access:	http://journalarticle.ukm.my/11132/ http://journalarticle.ukm.my/11132/ http://journalarticle.ukm.my/11132/1/17%20Mohd%20Ambri%20Mohajed.pdf

id	ukm-11132
recordtype	eprints
spelling	ukm-111322017-12-21T04:32:57Z http://journalarticle.ukm.my/11132/ Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung Mohd Ambri Mohamed, Farah Dzilhani Zulkefli, Burhanuddin Yeop Majlis, Transistor berasaskan karbon tiub nano (CNTFET) telah dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung menggunakan alkohol pemangkin pemendapan wap kimia. Sifat struktur dan ciri elektrik peranti telah dikaji. FET ini menunjukkan operasi ambipolar dan ia selaras dengan jenis-Schottky FET. Ia telah didapati bahawa ketinggian halangan Schottky yang wujud antara sentuhan elektrod dan CNT, boleh termodulat oleh aplikasi berkesan daripada voltan pincang (VDS) dan voltan get (VGS). Aplikasi voltan pincang sahaja tidak mudah untuk merendahkan ketinggian halangan Schottky dan ketebalan halangan Shottky, tetapi ia berkait rapat dengan aplikasi voltan get. Bagi konfigurasi peranti dalam kajian ini, keberkesanan medan boleh dikaitkan dengan VGS:VDS = 10:-1. Peningkatan arus didapati disebabkan oleh pengurangan tenaga pengaktifan. Kaitan yang jelas antara kesan voltan pincang, voltan get dan tenaga pengaktifan telah diperhati dalam kajian ini. Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2017-07 Article PeerReviewed application/pdf en http://journalarticle.ukm.my/11132/1/17%20Mohd%20Ambri%20Mohajed.pdf Mohd Ambri Mohamed, and Farah Dzilhani Zulkefli, and Burhanuddin Yeop Majlis, (2017) Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung. Sains Malaysiana, 46 (7). pp. 1141-1145. ISSN 0126-6039 http://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid46bil7_2017/KandunganJilid46Bil7_2017.html
repository_type	Digital Repository
institution_category	Local University
institution	Universiti Kebangasaan Malaysia
building	UKM Institutional Repository
collection	Online Access
language	English
description	Transistor berasaskan karbon tiub nano (CNTFET) telah dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung menggunakan alkohol pemangkin pemendapan wap kimia. Sifat struktur dan ciri elektrik peranti telah dikaji. FET ini menunjukkan operasi ambipolar dan ia selaras dengan jenis-Schottky FET. Ia telah didapati bahawa ketinggian halangan Schottky yang wujud antara sentuhan elektrod dan CNT, boleh termodulat oleh aplikasi berkesan daripada voltan pincang (VDS) dan voltan get (VGS). Aplikasi voltan pincang sahaja tidak mudah untuk merendahkan ketinggian halangan Schottky dan ketebalan halangan Shottky, tetapi ia berkait rapat dengan aplikasi voltan get. Bagi konfigurasi peranti dalam kajian ini, keberkesanan medan boleh dikaitkan dengan VGS:VDS = 10:-1. Peningkatan arus didapati disebabkan oleh pengurangan tenaga pengaktifan. Kaitan yang jelas antara kesan voltan pincang, voltan get dan tenaga pengaktifan telah diperhati dalam kajian ini.
format	Article
author	Mohd Ambri Mohamed, Farah Dzilhani Zulkefli, Burhanuddin Yeop Majlis,
spellingShingle	Mohd Ambri Mohamed, Farah Dzilhani Zulkefli, Burhanuddin Yeop Majlis, Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
author_facet	Mohd Ambri Mohamed, Farah Dzilhani Zulkefli, Burhanuddin Yeop Majlis,
author_sort	Mohd Ambri Mohamed,
title	Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
title_short	Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
title_full	Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
title_fullStr	Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
title_full_unstemmed	Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
title_sort	pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
publisher	Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia
publishDate	2017
url	http://journalarticle.ukm.my/11132/ http://journalarticle.ukm.my/11132/ http://journalarticle.ukm.my/11132/1/17%20Mohd%20Ambri%20Mohajed.pdf
first_indexed	2023-09-18T19:59:28Z
last_indexed	2023-09-18T19:59:28Z
_version_	1777406750871257088

Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung

Similar Items